삼성전자, 평택에 HBM4 신규 라인 구축…생산량 확대
웨이퍼 월 최대 12만장 생산…HBM4 탑재 1c D램 생산
올해 설비투자 확대로 메모리 슈퍼사이클 선제 대응
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자가 평택캠퍼스 4공장에 신규 D램 라인을 설치, 6세대 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 확충에 나선다.
5일 업계에 따르면 평택캠퍼스 'P4'에 내년 1분기까지 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 새롭게 구축하겠다는 전략을 세웠다. 해당 라인은 월 10만∼12만장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모로 전해졌다.
1c D램은 HBM4에 탑재되는 최선단 D램으로, HBM4에는 총 12개의 1c D램이 탑재된다. 삼성전자는 올해 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크를 대상으로 HBM4를 공급할 계획이며 이달 중 양산 공급이 예정돼있다.
이번 투자는 D램을 필두로 메모리 가격이 천정부지로 오르는 가운데 빠르게 캐파를 늘려 수요 급증에 대응하겠다는 것으로 풀이된다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 메모리 가격은 전 분기 대비 80∼90% 상승할 전망이다.
삼성전자는 월 66만 장의 D램 웨이퍼를 생산할 수 있는 라인을 보유하고 있는 것으로 전해졌다. 이번 생산 라인 투자가 완료될 경우 1년 만에 최대 18%의 D램 캐파를 확대하는 셈이다.
삼성전자는 앞서 작년 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "올해 캐펙스(설비투자)는 전년 대비 상당 수준 증가할 계획"이라며 "선제적인 투자를 통해 신규 팹 및 클린룸 선행을 확보했기에 해당 공간을 활용하기 위한 설비투자가 증가할 예정"이라고 밝혔다.
이어 "고성능 고용량 제품 확보가 필수인 AI 응용 시장의 기술적 니즈를 실현하기 위해 올해 D램은 1c 나노, 낸드는 V9을 중심으로 선단 공정 캐파 확보를 가속해 나갈 예정"이라고 덧붙인 바 있다.
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