삼성·SK, 차세대 D램으로 불황 넘는다…'초격차 기술' 박차
10나노급 5세대 D램 잇달아 양산…SK하이닉스는 인텔 호환성 검증 돌입
DDR4에서 DDR5로 전환 가속도…AI·챗봇 확산에 수요 급증 예상
(서울=연합뉴스) 김기훈 기자 = 삼성전자[005930]와 SK하이닉스[000660]가 잇따라 차세대 D램 메모리를 내놓으며 초격차 기술 개발에 힘을 쏟고 있다. 반도체 불황이 지속되는 가운데 업황 반등 시 주도권을 쥐려는 포석으로 보인다.
30일 SK하이닉스에 따르면 SK하이닉스는 10㎚(나노미터·10억분의 1ｍ)급 5세대(1b) 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램' 검증 절차에 돌입했다.
1b는 현존 D램 중 가장 미세화된 공정이다. 1b 기술이 적용된 DDR5 제품이 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼 호환성 인증을 받는 것은 이번이 처음이다.
이 제품은 DDR5 동작 속도가 6.4Gbps(초당 기가비트)로, 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 가장 빠른 속도를 구현했다. 기존 1a 제품과 비교하면 14%가량 처리 속도가 빨라졌다.
또 이 제품은 기존 1a DDR5 대비 전력 소모도 20% 이상 줄였다.
이번 1b DDR5 제품 양산으로 D램 시장은 DDR4에서 DDR5로 전환 속도가 더 빨라질 것으로 기대를 모은다.
앞서 인텔은 올해 초 DDR5가 적용되는 신형 중앙처리장치(CPU)인 4세대 제온 스케일러블 프로세서 '사파이어 래피즈'를 출시했는데, 이를 계기로 D램 시장 주력 제품은 DDR4에서 DDR5로 세대교체가 이뤄지고 있다.
또 업계에서는 인공지능(AI)과 챗봇 등의 수요가 늘면서 서버용 D램이 향후 메모리 시장을 주도할 것으로 보고 있다.
앞서 삼성전자는 12㎚급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 지난 18일 밝혔다.
12나노급 공정은 1b 공정을 의미한다. 삼성전자는 자사의 미세 공정 기술력을 강조하기 위해 '12나노'라는 구체적 선폭을 공개했다.
이 제품은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 소비 전력은 약 23% 개선돼 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다.
삼성전자와 SK하이닉스는 이런 차세대 D램 개발로 시장을 선점한다는 구상이다.
시장조사업체 옴디아에 따르면 전체 D램 시장에서 DDR5가 차지하는 비중은 올해 12%에서 내년 27%, 2025년 42%까지 확대될 전망이다.
AI 서버 시장도 급격한 성장이 예상된다.
대만의 시장조사업체 트렌드포스는 올해 AI 서버 출하량이 120만대로 작년보다 38.4% 증가할 것으로 봤다.
또 2022∼2026년 AI 서버 출하량이 연평균 22%씩 성장할 것으로 전망했다.
올해 AI 반도체 출하량은 작년보다 46% 증가하고, 특히 고대역폭 메모리(HBM) 수요는 작년보다 58%가량 증가할 것으로 보인다.
실제 미국의 반도체 기업 엔비디아는 올해 1분기 깜짝 실적을 기록했는데, AI 반도체 수요 증가가 호실적을 견인한 것으로 분석된다.
kihun@yna.co.kr
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