미국 정부가 15일(현지 시간) 삼성전자에 반도체법에 의거해 보조금 64억달러(약 8조9천억원)를 지원한다고 발표했다.
지나 러몬도 미 상무부 장관은 전날 브리핑에서 삼성전자의 텍사스 첨단 반도체 공장 투자를 위해 반도체법에 의거, 64억 달러의 보조금을 제공할 예정이라고 밝혔다.
삼성전자는 현재 미국 텍사스주 테일러시에 170억달러(약 23조5천억원)를 투자해 짓고 있는 반도체 공장의 규모와 투자 대상을 확대해 오는 2030년까지 총 약 450억달러(약 62조3천억원)를 투자할 계획이다. 기존 투자 규모의 두 배가 넘는다.
삼성전자는 지난 2022년부터 텍사스주 테일러시에 건설 중인 반도체 생산 공장에 추가로 새 반도체 공장을 건설하고, 패키징 시설과 함께 첨단 연구개발(R&D) 시설을 신축할 방침이다.
삼성전자의 첫 번째 텍사스 테일러 공장은 2026년부터 4나노미터 및 2나노미터 반도체를 생산할 예정이다. 두 번째 공장은 2027년부터 첨단 반도체를 양산할 계획이다. 연구·개발 팹 역시 2027년 문을 연다.
미국 정부가 삼성전자에 지원하는 반도체 보조금은 3번째로 큰 규모로 미국 반도체기업인 인텔(85억달러·11조8천억원)과 대만 기업인 TSMC(66억달러·9조1천억원) 다음 수준이다.
현재 미국 내에서는 첨단 반도체 생산이 이뤄지지 않고 있으나, 미국은 오는 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체의 20%를 자국 내에서 생산하는 것을 목표로 내세우고 있다.
바이든 행정부는 국내외 반도체 제조기업들의 설비투자를 유인하기 위해 반도체법을 입법했다. 미국 정부는 지난달 20일 인텔에 보조금 85억달러와 대출 110억달러 등 195억달러에 달하는 지원안을 발표한 바 있다.
이어 지난 8일에는 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC에 보조금 66억달러를 포함해 총 116억달러 지원안을 공개했다.
삼성전자가 받게 될 보조금 64억 달러는 대출금을 제외한 순수 보조금으로 비교해도 TSMC 비해 약간 적다. 그러나 투자액 대비 보조금 비율(%)로 보면 큰 차이가 없는 것으로 알려졌다.
미국 정부 고위 당국자는 "(삼성전자의) 이번 투자에는 2개의 첨단 파운드리 생산 시설과 차세대 반도체 기술 개발을 위한 연구개발 시설, 패키징 시설이 포함된다"며 "1개 생산 시설은 축구장 11개 규모이며, 삼성은 이 같은 시설을 두 개나 건설할 것"이라고 설명했다.
이 당국자는 특히 "삼성은 핵심 연구 개발을 미국에서 수행, 텍사스에서 미래 반도체 기술 개발을 이어갈 것"이라며 "이번 투자로 최소 1만7천개의 건설 일자리가 생기고, 공급망을 포함할 경우 수만개의 일자리 창출이 이뤄질 것"이라고 밝혔다.
또 다른 당국자는 "삼성전자에 대한 투자(보조금 제공)는 첨단 반도체 기술을 미국으로 되돌리기 위한 세 번째이자 삼각축의 마지막 완성이 되는 투자"라며 "삼성전자의 400억 달러대 투자와 짝을 이뤄 이번 투자는 미국 역사상 대규모 외국인 투자 가운데 하나로 기록될 것"이라고 짚었다.
또 "미국에 최첨단 R&D 시설을 가져오기로 한 삼성의 결정은 미국이 첨단 기술의 수혜를 입는다는 의미"라며 "이번 투자로 바이든 행정부는 애리조나에서 텍사스에 이르는 혁신 커뮤니티를 지원하게 됐다"고도 했다.
(사진=연합뉴스)