SK하이닉스가 초고성능 AI 메모리인 HBM3E D램의 대규모 양산에 돌입했다. 5세대 HBM인 HBM3E는 삼성전자, 마이크론 등과 선점 경쟁이 치열한 제품이다.
SK하이닉스는 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 고객사에 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3)를 거쳐 HBM3E가 5세대 제품으로 불린다.
글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시킬 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다.
SK하이닉스는 HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 강조했다. 이번 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리한다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.
특히 발열 제어를 위해 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용하면서 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다.
류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 "세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 "성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 말했다.