이석희 SK하이닉스 사장 "낸드플래시 600단 적층 가능"

입력 2021-03-22 17:57


이석희 SK하이닉스 대표이사 사장은 "향후 D램은 10나노미터(nm) 이하 공정에 진입하고, 낸드플래시는 600단 이상 적층도 가능하게 될 것"이라고 밝혔다.

이석희 사장은 22일 열린 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 "앞으로 메모리 반도체의 물질은 물론 설계 구조와 신뢰성을 개선해 '기술적 가치'를 높여갈 것"이라며 이같이 밝혔다.

'미래 ICT 세상을 향한 메모리 반도체 기술의 여정'을 주제로 한 이날 온라인 행사에서 이석희 사장은 올해 SK그룹 전체가 역점을 두고 있는 '파이낸셜 스토리'를 공유하고 이를 달성하기 위한 기술을 비롯해 사회, 시대 등 3가지 가치를 제시했다.



먼저 '기술적 가치'를 강조하며 SK하이닉스는 최근 미국의 마이크론에 이어 176단 낸드 개발에 성공했다는 점을 강조했다. 이어 이 사장은 더 나아가 600단 이상도 가능하다는 점을 피력했다. 그는 "패터닝 한계 등을 극복하면 D램은 10나노미터 이하 공정 진입이 가능하다"고 말했다.

반도체를 통한 에너지, 환경 등 사회문제를 해결하기 위한 방안도 소개했다. 이 사장은 대표적인 사례로 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 들며 "대표 저장장치인 하드디스크 드라이브(HDD)를 저전력 SSD로 교체하면 이산화탄소 배출을 93% 줄일 수 있다"고 전했다.

이 사장은 "세계 모든 데이터센터의 HDD를 2030년까지 저전력 SSD로 교체하게 되면 4,100만t의 이산화탄소 배출을 줄일 수 있을 것"이라며 "에너지 소비를 크게 절감하면서도 컴퓨팅 성능을 향상하는 새로운 솔루션을 지속적으로 선보이겠다"고 설명했다.

끝으로 '시대적 가치'를 창출하기 위해서는 "인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합되는 뉴 ICT의 시대로 진화해 갈 것"이라고 진단했다.

그는 "메모리 반도체는 성능 한계 극복을 위해 메모리와 처리장치가 융합되는 방향으로 발전할 것"이라고 말했다. 나아가 "메모리 기술은 뉴로모픽 반도체(뇌신경을 모방한 반도체)로, 스토리지 기술은 DNA 반도체와 같은 형태로 통합돼 갈 것"이라고 전망했다.

한편 IEEE가 주관하는 학술행사인 IRPS는 반도체 등 여러 기술 분야 엔지니어와 과학자들이 참여해 연구 성과를 공유하는 국제 콘퍼런스다. 이 사장은 지난 1월 IEEE의 산하 단체인 '소비자 기술 소사이어티(CTSoc)'에서 '우수리더상'을 수상한 바 있다.