SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 밝혔습니다.
SK하이닉스에 따르면 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상된 반면, 전력 소비는 15% 이상 감축했으며 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능합니다.
또, 이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking' 설계 기술을 적용했는데, 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시켰습니다.
SK하이닉스는 특히, 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다며 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장돼있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화하는 기술이라고 강조했습니다.
DRAM마케팅담당 김 석 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응 할 것"이라고 말했습니다.
한편, SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이라고 밝혔습니다.