삼성전자가 지난 2월부터 세계에서 가장 작은 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다고 밝혔습니다.
10나노급 8Gb DDR4 D램은 기존 20나노 제품보다 동작 속도가 30% 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 소비 전력도 최대 20%까지 줄일 수 있습니다.
이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술이 적용됐습니다.
'초고집적 설계 기술'은 삼성전자가 독자 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높일 수 있습니다.
삼성전자가 업계 최초로 D램에 적용한 '사중 포토 노광 기술'은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술입니다.
'초균일 원자유전막 형성 기술'은 D램이 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 필요한 기술로 높은 속도에서도 제품이 안정적으로 동작할 수 있게 돕습니다.
삼성전자는 올해 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 선점한다는 전략입니다.