삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 '256기가비트 3차원 V낸드' 양산에 성공했습니다.
이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)'을 기존보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 '3세대(48단) V낸드 기술'이 적용된 업계 최대 용량의 메모리 칩입니다.
'256기가비트 V낸드'는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB)용량의 메모리카드를 만들 수 있습니다.
특히 '3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조'와 '48단 수직 적층 공정', '3비트 저장기술'을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하는 것은 물론 소비 전력량도 30% 이상 줄였습니다.
또 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40% 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했습니다.
삼성전자는 지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 '테라 SSD 대중화'를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정입니다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것"이라고 말했습니다.