<앵커>
삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 화성 16라인을 본격 가동합니다. 삼성전자는 이번에 가동되는 16라인에서 세계 최초로 20나노급 D램 양산에 들어갈 예정입니다. 박병연기자가 보도합니다.
<기자>
삼성전자가 세계 최초로 20나노급 D램 양산에 착수했습니다.
삼성전자는 오늘부터 화성 메모리 16라인을 본격 가동해 20 나노급 고속 낸드 플래시 양산에 들어간다고 밝혔습니다.
<인터뷰> 홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장
"세계 최고 성능의 제품을 가장 빠르게 출시함으로싸 반도체 산업 발전과 우리 경제 성장에 기여할 것으로 기대됩니다."
삼성전자는 20나노급 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산할 예정이며 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획입니다.
지난해 5월 착공해 1년3개월 만에 가동에 들어가는 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인입니다.
이날 행사에서 최초로 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받은 이건희 회장은 메모리 16라인의 성공적인 가동과 20나노급 D램 양산을 위해 혼신의 힘을 기울여준 임직원들에게 감사의 뜻을 전했습니다.
이 회장은 또 "많은 직원들의 노력으로 기술 리더십을 지킬 수 있었지만, 앞으로 더욱 거세질 반도체 업계발 태풍에도 대비해야 한다"고 당부했습니다.
이건희 회장이 생산현장을 직접 방문한 것은 지난해 5월 경영일선에 복귀한 이후 처음입니다.
20나노급 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 D램과 동등한 성능을 구현하면서도 생산성은 50% 이상 높이고 소비 전력은 40% 가량 줄였다는 점이 특징입니다.
삼성전자는 올 연말 20나노급 4GB D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획입니다.
이날 행사에는 이건희 회장을 비롯해 권오현 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니의 나카가와 유타카 부회장 등 글로벌 IT업체 관계자 500여명이 참석했습니다.
WOW-TV NEWS 박병연입니다.