앵커> 하이닉스반도체가 최근 30나노 공정을 이용한 D램 생산에 들어갔습니다. 생산원가가 크게 절감될 것으로 기대됩니다. 박성태 기자입니다.
기자> 반도체에서 30나노는 반도체 회로의 폭이 30나노미터라는 얘기입니다. 머리카락 굵기의 4천분의 1수준입니다. 기존에 삼성전자와 하이닉스가 했던 40나노보다 더 미세해져 칩의 크기를 줄일 수 있습니다.
칩의 크기가 줄어들면 같은 웨이퍼에서 생산하는 칩의 개수가 늘어나고 전력소모도 감소합니다. 업계에서는 약 60% 정도 생산성이 올라가는 것으로 보고 있습니다.
하이닉스가 3월부터 30나노 D램 양산을 본격적으로 시작했습니다. 경기도 이천 공장팹이 대상입니다. 지난해 7월 삼성전자에 이어 세계에서 두 번째입니다. 아직은 불량을 낮춰야 하기 때문에 생산량이 많지 않지만 3분기부터는 본격적인 양산에 들어갈 계획입니다. 하이닉스는 연말까지 전체 D램 생산의 40%를 30나노 공정으로 전환하겠다는 계획입니다.
세계 메모리 반도체 1위인 삼성전자와는 기술격차를 줄이고 후발주자인 일본의 엘피다를 비롯, 대만업체들과는 격차를 늘립니다. 세계 3위인 엘피다 등은 아직 40나노 공정도 제대로 양산을 못하고 있습니다.
공정이 미세해지면 당장 원가경쟁력이 높아집니다. 올 1분기 D램 가격이 0.9달러 미만으로 떨어져 업체들을 압박했지만 시장은 하이닉스의 1분기 영업이익이 2천5백억원을 넘을 것으로 전망하고 있습니다. (각 증권사 추정: 미래에셋증권 2530억원, 한화증권 2600억원, IBK투자증권 2630억원)
하이닉스는 올 연말에는 20나노 D램 개발을 완료해 선두업체인 삼성전자와의 기술 격차를 거의 없애겠다는 계획입니다. WOW-TV NEWS 박성태입니다.