삼성전자(대표이사 최지성)가 기존 제품보다 속도를 70% 높이고 소비전력은 40% 낮춘 D램을 개발했습니다.
삼성전자는 3D-TSV(Through Silicon Via)
패키징 방식을 적용한 8기가바이트(GB) DDR3 D램을 개발했습니다.
3D-TSV(Through Silicon Via)기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 마이크로미터 두께로 만든 칩에 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 패키징 기법입니다.
쌓아 올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 방식에 비해 보다 빠르고 칩의 두께와 소비전력을 줄일 수 있습니다.
삼성전자는 3D-TSV 기법을 적용한 D램은 기존 제품보다 용량이 2~4배 크다고 밝혔습니다.
또 서버에 탑재하는 메모리 용량을 높여 서버 시스템의 성능을 50% 이상 높일 수 있다고 덧붙였습니다.