테라헤르츠파 이용 고유전율 물질 정밀측정 기술 개발

입력 2016-05-12 12:00
표준연 홍영표 박사 "반도체 소형화·집적화에 기여할 것"



한국표준과학연구원(KRISS)은 전자파센터 홍영표 박사팀이 영국국립물리연구소(NPL)와 공동으로 테라헤르츠파를 이용해 '고(高)유전율 물질'의 특성을 정밀 측정할 수 있는 기술을 개발했다고 12일 밝혔다.



테라헤르츠파는 마이크로파와 적외선 사이의 주파수 대역(0.3∼3THz)으로 비전도성 물체 투과성이 높으면서 인체 유해성이 낮아 현재 반도체, 시설, 의료, 보안등 다양한 산업 분야에서 활용되고 있다.



산업 분야에서 테라헤르츠파를 사용하기 위해서는 투과 대상의 '전자파 물질상수'를 정밀 측정하는 것이 중요하다. 하지만 고유전율 물질(유전율 40 이상)은 측정과정에서 반사파가 많이 발생하여 정확한 물질상수 측정이 어려웠다.



유전율은 물질에 전기를 걸어줬을 때 전기장이 변하는 비율로 공기의 유전율은1이다. 물질상수는 일정한 파장을 갖는 전자파가 측정물질을 통과할 때 얻어지는 반사·투과 특성을 측정해 도출한다.



고유전율 물질을 사용하면 반도체 집적회로를 더 작게 만들 수 있고 초소형 바이오·이미지 센서 개발 등에도 사용될 수 있어 물질특성을 정확히 파악할 필요가있다.



홍 박사팀은 이 연구에서 일정한 시간 영역에서 반사파가 제거된 자유공간 응답특성을 얻는 기술로 고유전율 물질의 정확한 물질상수 값을 도출하는 데 성공했다.



연구진은 이 기술을 활용하면 높은 유전율을 가진 물질에 대한 정확한 측정 및특성 파악이 가능해질 것으로 기대하고 있다.



홍 박사는 "이번에 개발한 테라헤르츠파 물질상수 측정기술은 식품안전관리, 의료영상, 보안, 안전보조 영상장비 등 다양한 산업 분야에 폭넓게 적용될 수 있다"며"특히 반도체 산업에서 집적회로 설계에 활용될 수 있다"고 말했다.



이 연구결과는 영국 공학기술학회(IET) 학술지 '일렉트로닉스 레터스'(Electronics Letters, 4월호)에 표지논문으로 게재됐다.



scitech@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>