KISTI(한국과학기술정보연구원)는 슈퍼컴퓨팅응용실 류훈 박사가 반도체 집적도를 높이기 위한 초박형 실리콘 나노 전선 공정의 이론적 원리를 규명했다고 5일 밝혔다.
최근 반도체의 집적도를 높이기 위해 실리콘 나노 전선에 불순물을 섞어 전기전도도를 높이려는 연구가 시도되고 있지만, 전선의 전도도에 영향을 미치는 불순물의원자분포에 대한 이론적 배경은 알려지지 않았다.
류 박사는 슈퍼컴퓨터를 이용해 고농도의 '인' 불순물이 포함된 실리콘 나노선내 인 원자의 전자구조를 계산, 인의 분포 경향과 실리콘 나노선 굵기 사이의 상관관계를 밝혀내는 데 성공했다.
앞으로 불순물 반도체 전선 공정 과정에서 일어나는 시행착오를 줄이는데 기여할 것으로 기대된다.
이번 연구 결과는 나노과학 분야 권위 있는 학술지인 '나노 레터스'(Nano Letters) 지난 3일자 온라인판에 실렸다.
jyoung@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>