국내 연구진이 개발한 'GaN(질화갈륨)' 반도체기술이 유럽 전시회에서 호평을 받았다.
21일 ETRI(한국전자통신연구원)에 따르면 지난 10일까지 이탈리아 로마에서 열린 유럽 최대 규모의 마이크로파학회인 'EuMW' 전시회에서 질화갈륨 반도체 기술이국내외 학계와 RF 부품 및 시스템 관련 해외업체의 눈길을 끌었다.
이번 전시회에 공개된 기술은 질화갈륨 RF 전력증폭기 기술과 질화갈륨 전력반도체 기술이다.
기존 전력증폭기는 전파를 증폭시키기 위해 진공관(마그네트론) 방식을 사용하고 있지만, 진공관 방식은 부피가 크고 부품 수명이 짧다는 단점이 있다.
질화갈륨을 기반으로 한 전력증폭기는 전력 밀도와 수명을 획기적으로 높여 고성능 레이더나 이동통신 기지국, 단말기, 위성통신 등에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
질화갈륨 전력반도체는 교류나 직류를 전력 변환하는 기술로, 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등 일반 가전제품은 물론 태양광 기술에 사용된다.
기존 실리콘 반도체나 갈륨비소 반도체보다 전력밀도는 최대 10배, 전력 효율은최대 30% 이상 우수하다.
이번 전시회를 통해 세계적인 항공우주시스템 장비회사인 'BAE 시스템즈'가 투자 의향을 밝혔으며, 중국 이동통신업체와 영국 전력증폭기 제작업체로부터 기술 이전 문의가 잇따랐다고 ETRI는 전했다.
jyoung@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>