중국 반도체업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 D램 제조의 미세화 수준을 11.95나노미터(㎚)까지 올렸다. 삼성전자와 SK하이닉스 등이 2010년대 후반 양산했던 기술 수준이다. CXMT가 추격 속도를 올리고 있다는 평가가 나온다.
20일 로이터통신에 따르면 CXMT는 5세대 D램 제조공정을 이용한 제품 양산에 들어갔다고 이날 밝혔다. 로이터통신은 이에 대해 “중국이 글로벌 메모리 반도체 업체들과 경쟁할 강력한 경쟁자를 육성하는 데 도움이 될 수 있다”고 평가했다.
해당 공정으로 생산한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 신제품 2종도 공개했다. D램은 스마트폰, 컴퓨터 등에서 데이터를 임시 저장하는 메모리 반도체다. 그중에서도 LPDDR5X는 주로 스마트폰 등 휴대용 전자기기에 사용되는 저전력형 D램을 가리킨다.
CXMT는 이번 제조 플랫폼이 높은 성능의 메모리 반도체를 더 낮은 비용·전력 소비량으로 생산하도록 설계됐다고 설명했다. 칩에서 데이터를 저장하는 메모리 배열의 핵심 구조 사이의 간격이 11.95㎚로 줄어들면서, 8Gb D램 기준으로 웨이퍼당 칩 생산량은 이전 세대보다 50% 이상 증가한 것으로 전해진다. 회로를 더 촘촘하게 만들어 칩 하나의 크기를 줄이면서 웨이퍼 한장에서 생산할 수 있는 칩의 숫자가 늘었기 때문이다.
CXMT가 이날 공개한 LPDDR5X 신제품 2종은 기존 제품보다 50% 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
중국 최대의 D램 생산업체이자 글로벌 4위 업체인 CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO) 이후 본토 증시 시가총액 1위로 올라섰다. 최근에는 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화하기도 했다.
손주형 기자 handbro@hankyung.com