삼성전자와 SK하이닉스 등 대형 반도체 관련주들이 2일 장 초반 하락세다. 미국과 이란의 무력 충돌 재개로 국제유가와 미국 국채금리가 급등한 데다 간밤 뉴욕증시에서 필라델피아반도체지수가 2% 넘게 떨어지는 등 미국 반도체주가 일제히 약세를 보인 영향이다. 중국 창신메모리(CXMT)가 HBM3E를 소량 생산하고 있다는 보도까지 전해지면서 경쟁 심화 우려가 부각되는 모습이다.
이날 오전 9시10분 현재 삼성전자는 전 거래일 대비 3.07% 하락한 25만3250원에, SK하이닉스는 2.54% 내린 164만3000원에 거래 중이다. SK스퀘어는 4.87% 내린 101만6000원, 삼성전자 우선주는 1.89% 하향한 18만8300원, 삼성전기는 2.10% 떨어진 140만원을 가리키고 있다.
이날 대형 반도체 관련주의 하락세는 미국과 이란의 무력 충돌 재개로 국제유가와 국채금리가 급등한 가운데 간밤 뉴욕증시에서 반도체주가 일제히 하락한 영향으로 풀이된다. 1일(현지시간) 뉴욕증시에서 다우존스30 산업평균지수는 전장보다 419.02포인트(0.79%) 내린 5만2766.88에 거래를 마쳤다.
스탠더드앤드푸어스(S&P) 500지수는 전 거래일보다 54.67포인트(0.71%) 내린 7631.47에, 나스닥 종합지수는 전장보다 271.12포인트(1.03%) 내린 2만6099.77에 각각 장을 마감했다. 특히 필라델피아반도체지수(SOX)는 2.1% 하락했다. 엔비디아는 1%대, 마이크론테크놀로지는 2%대, AMD는 2%대 약세로 장을 마쳤다. SK하이닉스 ADR도 2% 넘게 하락했다.
미국 10년물 국채금리는 19개월 만의 최고 수준까지 치솟았다. 시장에서 반영하는 9월 미국 중앙은행(Fed)의 25bp(1bp=0.01%포인트) 금리 인상 가능성도 68.2%까지 높아졌다. 이날 미국은 이란을 상대로 이틀 만에 추가 공습에 나섰다. 미국은 최근 호르무즈 해협의 민간 선박과 중동에 배치된 미 병력에 대한 이란혁명수비대(IRGC)의 공격 시도에 대응하기 위한 공습이라고 설명했다.
이란도 보복 공격에 나서면서 국제유가는 5% 안팎 급등했다. 11월 인도분 브렌트유 선물은 전장 대비 4.60% 오른 배럴당 94.65달러에, 10월 인도분 서부 텍사스산 원유(WTI)는 5.20% 오른 90.22달러에 거래를 마쳤다. 각각 7월 24일, 7월 23일 이후 최고 수준이다.
중국 최대 D램 업체 CXMT가 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를 소량 생산하고 있다는 외신 보도가 나온 점도 국내 반도체주에 영향을 끼친 것으로 보인다. 정보기술(IT) 매체 디인포메이션은 최근 두 명의 소식통을 인용해 CXMT가 HBM3E를 소량 생산하고 있다고 보도했다.
매체는 알리바바 자회사 T헤드, 캠브리콘 테크놀로지 등 중국 팹리스들은 자사 프로세서와 CXMT의 HBM3E 간 호환성을 시험하고 있다고 전했다. 이르면 내년 CXMT HBM3E를 탑재한 제품이 출시될 수 있다. 중국 업체들이 CXMT 제품을 실제 프로세서에 맞춰 시험하면서 HBM 양산 경험과 고객 피드백을 확보할 수 있을 것으로 보인다. 미국이 2024년 중국에 첨단 HBM 수출을 제한한 상황에서도 HBM3E를 내놓는 진전을 이뤘다는 점에서 이목이 쏠린다.
강경주 한경닷컴 기자 qurasoha@hankyung.com