삼성전자가 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 실물을 처음 공개했다고 밝혔다.
삼성전자는 이날부터 19일까지 진행되는 이번 행사에서 HBM4 양산으로 축적한 1c D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 앞세웠다. 특히 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 아울러 기존 TCB(열압착 접합) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 구리 접합) 기술도 공개했다.
삼성전자가 이번 전시에서 특히 부각한 것은 엔비디아 차세대 가속기 '베라 루빈' 플랫폼용 메모리를 전 세계에서 유일하게 공급할 수 있다는 점이다. 삼성전자는 이번 전시에서 '엔비디아 갤러리'를 별도 구성해 △루빈 GPU용 HBM4 △베라 CPU용 SOCAMM2 △스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시했다. 소캠2(SOCAMM2)는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 업계 최초로 양산 출하를 시작했으며, PCIe 6세대 기반 서버용 SSD PM1763은 부스 내에서 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연하며 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.
삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(AI 추론 과정에서 생성되는 KV 캐시 데이터를 GPU 메모리 밖의 스토리지로 확장해 활용하는 메모리 확장 기술) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. 부스 내 AI 팩토리 존에서 제품을 확인할 수 있다. 전시 공간은 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온디바이스 AI), 피지컬 AI 세 개 존으로 구성했다. 행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 무대에 올라 AI 인프라 혁신을 이끌 차세대 시스템의 중요성과 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시할 예정이다.
홍민성 한경닷컴 기자 mshong@hankyung.com