중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 삼성전자, SK하이닉스 제품과 비슷한 성능을 갖춘 최신 D램을 제조해 공개했다. 올해 초 CXMT가 사업 전략을 ‘저가 제품 물량 공세’에서 ‘프리미엄 D램 개발’로 선회한 지 1년도 안 돼 최첨단 제품을 생산하는 성과를 낸 것이다.
24일 반도체업계에 따르면 CXMT는 전날 베이징에서 개막한 ‘IC(집적회로) 차이나 2025’ 전시회에서 더블데이터레이트5(DDR5), 저전력더블데이터레이트5X(LPDDR5X·사진) D램 단품과 서버, PC 등에 들어가는 모듈형 제품 7종을 공개했다. DDR5는 최신 규격의 D램으로 일반 DDR5는 서버와 PC에 들어가고, LPDDR5X는 최신 스마트폰에 쓰인다. CXMT가 DDR5, LPDDR5 실물을 공개한 것은 이번이 처음이다.
CXMT는 이날 자사 DDR5의 최고 속도가 초당 8000메가비트(Mb), 단품 용량은 24기가비트(Gb)라고 적시했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 최신 D램과 비슷한 성능이다.
중국의 반도체 굴기는 낸드플래시 분야에서도 거세다. 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 삼성(286단)과 비슷한 수준의 270단대 낸드플래시를 앞세워 올 3분기 출하량 기준 세계 시장 점유율 13%를 기록했다. 3위 일본 키옥시아(14%)를 바짝 따라붙은 4위다.
중국 정부의 지원을 바탕으로 한국, 일본 등에서 영입한 1000명 넘는 메모리 반도체 전문 인력을 투입해 연구개발(R&D) 총력전을 벌인 결과로 업계는 보고 있다. 중국이 첨단 D램 생산을 본격화하면 공급 부족으로 촉발된 메모리 슈퍼 호황에 작지 않은 변수가 될 것이라는 분석이 나온다.
황철성 서울대 재료공학부 석좌교수는 “메모리 기술 수준만 놓고 보면 한국과 중국의 격차는 거의 없어졌다”며 “약 5년 뒤 극자외선(EUV) 노광 장비가 필요 없는 3차원(3D) D램 시대가 오면 중국이 더 치고 나갈 것”이라고 말했다.
황정수/황정환 기자 hjs@hankyung.com