[단독] 삼성전자, 1.1조 투입…최신 EUV 장비 도입

삼성전자가 내년 상반기까지 약 1조1000억원을 투입해 네덜란드 ASML의 최신형 극자외선(EUV) 노광장비(빛으로 웨이퍼에 회로를 그리는 장비)인 ‘하이(High) 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV’를 2대 도입한다. 기존 제품보다 1.7배 세밀하게 회로를 그릴 수 있어 차세대 파운드리(반도체 수탁생산)와 고성능 D램을 생산하는 데 필수로 꼽히는 장비다.

15일 산업계에 따르면 삼성전자는 연내 최신 하이 NA EUV(모델명 트윈 스캔 EXE:5200B)를 한 대 들여온 뒤 내년 상반기 추가로 한 대 더 도입하기로 했다. 삼성전자는 연구개발(R&D)용 하이 NA EUV 장비만 경기 화성캠퍼스에 설치했을 뿐 ‘제품 양산용’으로 하이 NA EUV 장비를 구매하는 것은 이번이 처음이다.

양산용 하이 NA EUV 장비는 전 세대 EUV 장비와 비교해 렌즈가 빛을 모을 수 있는 수치를 뜻하는 NA를 높인 게 특징이다. 기존 장비의 NA(0.33)보다 40% 향상된 0.55를 구현해 1.7배 세밀하게 회로를 그릴 수 있다. 가격은 대당 5500억원 수준으로 반도체 장비 중 가장 비싸다.

업계 관계자는 “삼성이 차세대 공정의 기술력을 높이기 위해 승부수를 던진 것”이라고 말했다.

황정수/김채연 기자 hjs@hankyung.com