SK하이닉스가 세계 최초로 셀(저장 공간)을 321개 층으로 쌓은 모바일용 낸드플래시를 개발했다. 직전 낸드플래시보다 쓰기 속도를 40% 이상 빠르게 하면서 전력 효율을 7% 높인 게 특징이다.
SK하이닉스는 22일 “세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4차원(4D) 낸드플래시를 적용한 ‘UFS 4.1’을 개발했다”고 밝혔다. 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 기기에 들어가는 UFS를 300단 이상 낸드로 만든 것은 SK하이닉스가 처음이다.
이번 제품의 전력 효율은 이전 세대인 238단 낸드플래시보다 7% 개선했다. 제품 두께는 1㎜에서 0.85㎜로 줄여 초슬림 스마트폰에 장착할 수 있도록 했다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤 읽기와 쓰기 속도는 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상했다.
SK하이닉스는 “신제품은 현존하는 UFS 4.1 제품에서 세계 최고 성능을 달성했다”고 설명했다. 512GB(기가바이트), 1TB(테라바이트) 등 두 가지 용량 버전으로 개발한 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고, 내년 1분기 본격 양산에 들어간다는 계획이다.
제품은 내장형 인공지능(온디바이스 AI) 구현에 필요한 데이터를 지연 없이 공급하고, 앱 실행 속도와 반응성을 높여 모바일 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다.
안현 SK하이닉스 개발총괄사장은 “이번 제품을 필두로 321단 4D 낸드 기반 소비자용과 데이터센터용 제품 개발도 연내 완료할 계획”이라며 “AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 확장해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로서 입지를 굳건히 하겠다”고 말했다.
박의명 기자 uimyung@hankyung.com