삼성전자가 4조원을 투입해 개발한 D램 기술을 중국으로 빼돌린 혐의를 받는 삼성전자 전 직원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 산업기술 보호법 위반, 부정경쟁 방지법 위반 등의 혐의로 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) 대표 최진석씨(66)와 공정설계실장 오모씨(60)를 구속기소했다고 27일 밝혔다.
최씨와 오씨는 삼성전자 핵심 연구인력으로 근무한 바 있으며 최씨는 삼성전자와 하이닉스에서 약 30년을 근무한 국내 반도체 제조분야 최고 전문가로 알려졌다.
이들은 삼성전자가 개발비 4조원을 투입한 국가 핵심기술을 부정 사용한 혐의를 받는다. 이를 통해 글로벌 반도체회사들도 통상 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정기술을 불과 1년6개월 만에 개발해 중국에서 2번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 파악됐다.
중국에서 D램 반도체 최종 양산에 성공할 경우 그 피해가 최소 수십조원에 달할 것으로 예상됐던 만큼 검찰에서는 경찰 수사 단계부터 긴밀히 협력해 이들을 구속했다.
또 검찰은 추가수사를 통해 최씨가 중국 반도체회사 지분 860억원 상당을 받고 보수 명목으로 18억원의 범죄수익을 취득한 혐의를 밝혀냈다.
이 외에도 이들이 설립한 중국 반도체회사가 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 확인해 청두가오전 반도체업체도 추가 기소했다.
권용훈 기자 fact@hankyung.com