SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다.
SK하이닉스는 29일 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌지만 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"고 밝혔다.
이에 따라 올해 안으로 1c DDR5 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급하겠다는 계획이다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄일 뿐 아니라 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다는 것이 SK하이닉스의 판단이다.
또 EUV 특정 공정에 신소재를 개발·적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신으로 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시키기도 했다.
1c DDR5는 고성능 데이터센터에 주로 활용된다. 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대보다 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다.
SK하이닉스는 AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 만큼 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객사들이 1c D램을 활용해 전력 비용을 이전보다 최대 30% 줄일 것으로 보고 있다.
김종환 SK하이닉스 D램개발담당(부사장)은 "최고 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com