'와이드 IO2 모바일 D램'…내년 하반기부터 본격 양산
SK하이닉스[000660]가 업계 최초로 차세대 '와이드 IO2 모바일 D램' 개발에 성공했다고 3일 밝혔다.
이번에 개발한 와이드 IO2는 국제전기전자표준협회(JEDEC)에서 표준화를 진행중인 차세대 고성능 모바일 D램의 하나로 8기가비트(Gb) 용량 제품이다.
20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ)급의 첨단 미세공정을 적용해 기존 LPDDR4모바일 D램과 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화했다.
이와 함께 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.
기존 LPDDR4는 3천200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능하다. 반면 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리할수 있다.
덕분에 초당 데이터 처리 속도가 기존 LPDDR4보다 4배 빨라 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능을 자랑한다.
SK하이닉스는 현재 주요 고객사에 샘플을 공급한 상태며 내년 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.
abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>