중국 창신메모리(CXMT)가 '4F²(포에프스퀘어)' 아키텍처와 관련해 진전 상황을 공개했다.
1일(현지시간) 펑파이·글로벌타임스 등 중국매체에 따르면 CXMT는 지난달 30일 3분기 실적 발표 및 성명을 통해 4F²에 기반한 6세대 D램 공정 플랫폼의 엔지니어링 샘플(ES) 검증을 마쳤다고 처음으로 밝혔다.
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엔지니어링 샘플은 제품 출시 전 테스트를 위해 제조자개발생산(ODM) 업체 등에 빌려주는 시제품이다. 업계에서는 검증 완료를 상업화의 주요 단계로 본다.
CXMT 측은 검증 성공이 실제 웨이퍼에서 플랫폼의 핵심 성능 목표를 달성했다는 의미라며, 고객사 측 검증을 거치면 양산으로 나아갈 수 있다고 설명했다. 또 이 같은 검증을 끝낸 곳은 자사가 처음이며, 개발이 순조로우면 4F² 기반 제품을 세계 최초로 내놓게 될 것이라고 주장했다.
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출시 일정도 제시했다. CXMT는 "올해 말 4F² 아키텍처를 사용한 첫 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM' 샘플을 (고객사에) 보낼 수 있을 것"이라고 밝혔다. 이어 "서버 등 부가가치가 높고 집적도 요구가 큰 제품에 우선 적용한 뒤 점차 다른 제품군으로 확대할 것"이라고 했다. 양산에 대해서는 "양산은 고객사의 검증 진행 상황과 시장 수요에 따라 점진적으로 추진할 것"이라며 "객관적으로 봤을 때 신제품은 중장기적 경쟁력 구축과 더 관련 있으며 단기적으로 현재의 이익으로 전부 전환될 수는 없다"고 선을 그었다.
웨이퍼 제조 공정에서 포토리소그래피 기술로 구현할 수 있는 최소 선폭(간격)을 'F'라고 한다. 4F²는 메모리 1개 단위의 크기가 F 제곱의 4배라는 뜻이다. 현재 D램의 주류 아키텍처는 6F²로, 4F²로 넘어가면 단위 면적당 트랜지스터 수가 늘어 메모리 집적도가 높아진다.
삼성전자·SK하이닉스가 메모리 집적도 향상을 위해 이러한 기술을 추구하고 있는데, SK하이닉스는 최근 실적 발표에서 양산 안정성과 원가 경쟁력이 검증된 6F² 플랫폼을 최대한 활용하되, 향후 4F²로 전환하기 위한 기술 개발도 병행한다는 방침을 밝힌 바 있다.
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