중국 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 올해 안에 서버용 D램 신제품을 내놓겠다고 밝혔다.
중국 매체 제일재경과 과창판일보는 12일(현지시간) 차오칸위 CXMT 총재가 최근 한 행사에서 연말까지 4F² 아키텍처를 적용한 차세대 서버용 메모리 ‘DDR5 RDIMM’을 선보일 계획이라고 밝혔다고 보도했다.
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보도에 따르면 차오 총재는 이 아키텍처가 D램 트랜지스터 배열상의 혁신이라며, 자체 개발한 'VSG' 트랜지스터가 채널을 수직으로 둘러싸는 방식으로 누설 전류 등의 문제를 개선하고 집적도는 높인다고 설명했다. CXMT가 4F² 관련 특허를 다수 보유하고 있다고도 소개했다.
반도체 업계는 웨이퍼 제조 공정에서 포토리소그래피 기술로 구현할 수 있는 최소 선폭을 'F'라고 부른다. 4F²은 메모리 한 개 단위의 크기가 F 제곱의 4배라는 뜻이다고 제일재경 등은 전했다. 현재 D램 업계의 주류 아키텍처는 6F²로, 4F²로 넘어가면 단위 면적당 트랜지스터 수가 늘고 집적도가 높아진다고 했다.
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서버용 메모리 시장은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 우위를 보여왔다. 중국 매체들은 이번 신제품 출시 예고를 CXMT가 서버용 시장 진출을 노리는 움직임으로 풀이했다.
홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 삼성전자와 SK하이닉스도 메모리 집적도를 높이려고 이 같은 기술을 추구하고 있으며, SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개한 바 있다고 전했다.
CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)로 최대 666억1,000만 위안(약 13조2,000억원)을 조달했다. 8월에는 차세대 모바일 D램 LPDDR6 양산을 공식화했고, 지난달에는 5세대 D램 공정 양산에 들어갔다고 밝혔다.
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