삼성전자가 세계 최초로 `10나노급 2세대(1y나노) D램`을 양산합니다.
삼성전자는 지난 달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다고 밝혔습니다.
지난해 2월 `10나노급 1세대 8Gb D램`을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했습니다.
삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다고 덧붙였습니다.
삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량과 속도, 소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해, 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획입니다.
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