하이닉스, 2기가비트 차세대 DDR4 D램 개발

하이닉스반도체가 오늘(4일) 30나노급 2기가비트 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔습니다.

DDR4 D램은 현재 시장 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도가 초당 2400메가비트로 기존 제품에 비해 처리속도가 80% 가량 향상됐습니다.


하이닉스 김지범 전무는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경, 저전력, 고성능 특성을 모두 만족시켰다”며 “이를 통해 PC와 서버 시장은 물론이고 급성장하는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것”이라고 밝혔습니다.

시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR4 D램 비중은 2013년 5%에서 2015년 50%로 향후 시장 주력제품이 될 전망입니다. 하이닉스는 이 제품을 내년 하반기부터 본격 양산해 DDR4 시장을 선도한다는 계획입니다.