[그래픽] 삼성전자-SK하이닉스 메모리 장벽 돌파 전략

[그래픽] 삼성전자-SK하이닉스 메모리 장벽 돌파 전략

(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 4일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 메모리 장벽을 돌파하기 위해 D램과 낸드플래시를 수직으로 쌓는 방식을 택했다.

minfo@yna.co.kr

X(트위터) @yonhap_graphics 인스타그램 @yonhapgraphics

(끝)

<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포, AI 학습 및 활용 금지>