조 바이든 미국 대통령의 방한 첫 일정인 삼성전자 평택 반도체공장 방문에서 VIP들이 반도체 웨이퍼에 서명하는 행사가 진행된다.
윤석열 대통령과 바이든 대통령은 20일 오후 바이든 대통령의 오산공군기지 도착 직후 곧장 삼성전자 평택공장을 방문한다. 두 정상은 이재용 삼성전자 부회장의 안내를 받으며 가동 중인 1라인(P1)과 현재 건설 중인 3라인(P3) 등을 둘러본다.
삼성전자는 바이든 대통령에게 곧 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 반도체 시제품을 소개할 것으로 알려졌다. 두 정상은 이 3나노 반도체 웨이퍼에 서명할 계획. 웨이퍼는 반도체의 재료가 되는 얇은 실리콘 판이다.
특히 GAA는 기존 핀펫 기술보다 칩 면적과 소비전력은 줄이면서 성능은 높인 신기술이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 중 10나노 미만의 미세공정 기술력을 갖춘 기업은 삼성전자와 대만의 TSMC 뿐이다. 3나노에선 삼성전자가 TSMC보다 반 년 정도 앞섰다는 평가다.
때문에 종이 대신 신기술로 만든 3나노 웨이퍼에 방명록에 작성함으로서 한미 기술 동맹과 삼성전자 반도체의 우수성을 대외에 알리는 계기로 삼겠다는 의도가 담긴 것으로 해석된다.
바이든 대통령은 지난해 4월 백악관에서 삼성전자 등 주요 반도체 기업을 소집한 회의에서 웨이퍼를 손으로 들어보이며 대미 투자를 독려하기도 했다.
미국은 반도체 연구개발, 설계, 장비에서 선두주자이지만 생산시설이 부족하다. 이에 한국과 대만 등 세계 반도체 생산을 주도하는 우방국과 함께 안정적인 반도체 공급망을 구축하고 중국의 추격을 견제하려 한다. 21일 정상회담에서도 반도체 등 첨단기술 협력이 주요 의제로 논의될 전망이다.
이날 바이든 대통령의 일정에는 삼성전자 주요 고객사인 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)도 동행하는 것으로 전해졌다. 삼성전자는 최신 모바일칩 스냅드래곤 81세대를 위탁생산하고 있다. 퀄컴은 지난 1분기 삼성전자 주요 매출처에 처음 포함됐다.
강경주 한경닷컴 기자 qurasoha@hankyung.com