정부가 세계 1위인 반도체산업의 경쟁력 강화를 위해 차세대반도체 기술개발에 투자하고 우리나라를 글로벌 반도체 제조 허브로 만들겠다고 공표했다.
백운규 산업통상자원부 장관은 30일 SK하이닉스 이천공장과 삼성전자 평택공장을 방문해 민간기업 투자현황을 점검하고 어려움을 청취했다.
이번 방문은 상반기 우리나라 수출의 20% 이상을 담당하는 반도체 업계를 격려하고 경쟁국 추격 등에 대한 대응방안을 논의하기 위해 이뤄졌다.
백 장관은 "향후 우리나라가 세계 1위 반도체 강국의 위상을 지켜낼 수 있도록 3가지 전략을 중심으로 반도체산업의 발전을 지원하겠다"고 강조했다.
그는 첫째로 "독보적 경쟁력을 갖춘 메모리반도체 분야 세계 1위 수성을 위해 미세화 한계에 도달한 D램, 낸드 등 기존 메모리반도체를 대체하는 차세대 소자와 소재를 개발하겠다"고 강조했다.
백 장관은 이어 "4차 산업혁명 시대 새로운 성장동력으로 시스템반도체를 육성하고 팹리스 시스템온칩(SoC) 설계와 파운드리 기업의 제조공정 연계강화를 통해 팹리스와 파운드리 산업이 함께 발전하도록 하겠다"고 말했다.
이를 위해 산업부는 과학기술정보통신부와 함께 앞으로 10년간 1조5000억원을 투자하는 `차세대 지능형반도체 기술개발사업`을 추진하고 있으며 내달 8일 예비타당성조사를 신청할 예정이다. 또 오는 31일 창업부터 성장까지 전 주기를 지원하는 '시스템반도체 설계 지원센터'를 개소한다.
백 장관은 마지막으로 "글로벌 반도체 소재·장비 기업의 생산라인 국내 유치 확대 등을 통해 글로벌 반도체 제조 허브 국가화를 추진하겠다"고 덧붙였다.
이진욱 한경닷컴 기자 showgun@hankyung.com
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