경계현 "삼성 HBM3E, 생성형 AI 속도·효율 향상시킬 준비됐다"
(서울=연합뉴스) 장하나 기자 = 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 15일 "HBM3E 샤인볼트와 같은 삼성전자 반도체 제품은 생성형 인공지능(AI) 애플리케이션의 속도와 효율성을 크게 향상시킬 준비가 돼 있다"며 HBM에 대한 자신감을 드러냈다.
경 사장은 이날 소셜미디어(SNS)에 "AI와 강력한 시너지를 내는 사업에 종사하는 것은 정말 신나는 일"이라며 이같이 밝혔다.
경 사장은 "우리 엔지니어들은 스마트워치와 모바일에서 엣지 디바이스와 클라우드에 이르기까지 모든 것을 포괄할 수 있는 포괄적인 AI 아키텍처와 같이 미래에 필요한 고급 AI 솔루션을 예측하기 위해 열심히 노력하고 있다"고 강조했다.
이어 "빠르게 진화하는 이 시대가 우리를 어디로 데려가든 당황하지 말라"며 "삼성 반도체는 AI 비전을 현실로 만드는 데 필요한 솔루션을 고객에게 제공할 것"이라고 덧붙였다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.
현재 HBM 시장에서 경쟁사인 SK하이닉스가 한발 앞서 있다는 평가를 받고 있는 가운데 경 사장이 HBM3E를 직접 언급하며 향후 시장의 주도권을 가져오겠다는 의지를 내비친 것으로 풀이된다.
삼성전자는 작년 10월 미국 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이' 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 HBM3E D램 샤인볼트를 처음 선보인 바 있다.
삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전 분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비 3.5배 규모로 성장했다.
김재준 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 지난달 실적 콘퍼런스콜에서 "HBM3E의 경우 주요 고객사에 샘플을 공급 중이며 올해 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 밝혔다.
한진만 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장은 CES 2024에서 기자들과 만나 "올해 HBM의 설비투자(캐펙스·CAPEX)를 2.5배 이상으로 늘린다고 했고 내년에도 그 정도 수준이 되지 않겠나 예상하고 있다"고 말했다.
한편, 삼성전자 DS 부문은 오는 26∼29일 스페인 바르셀로나에서 열리는 세계 3대 전자·IT 전시회 '모바일 월드 콩그레스'(MWC)에 고객 대상 프라이빗 부스를 꾸리고 HBM3E를 비롯한 AI 반도체를 선보일 예정이다.
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